本站4月13日消息，英睿達(dá)推出了新款CSODIMM內(nèi)存，售價(jià)499元起。
此次推出的產(chǎn)品線包括16GB、24GB和32GB三種容量選擇，均采用美光原廠顆粒，運(yùn)行電壓1.1V，時(shí)序CL52-52-52-103，數(shù)據(jù)傳輸速率高達(dá)6400MT/s，較傳統(tǒng)DDR5內(nèi)存性能提升達(dá)15%，完全符合JEDEC固態(tài)存儲(chǔ)協(xié)會(huì)標(biāo)準(zhǔn)。
值得關(guān)注的是，這批新品已通過(guò)英特爾新一代酷睿Ultra 200系列處理器的兼容性驗(yàn)證。該產(chǎn)品基于JEDEC于2024年1月發(fā)布的JESD323標(biāo)準(zhǔn)（CUDIMM）開發(fā)，在傳統(tǒng)無(wú)緩沖UDIMM內(nèi)存基礎(chǔ)上進(jìn)行了重要?jiǎng)?chuàng)新。
技術(shù)突破的關(guān)鍵在于集成了時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器（CKD），時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器是負(fù)責(zé)接收來(lái)自CPU或內(nèi)存控制器的時(shí)鐘信號(hào)，并重新生成一個(gè)干凈的、穩(wěn)定的時(shí)鐘信號(hào)來(lái)驅(qū)動(dòng)DRAM芯片。
這一技術(shù)突破不僅提升了內(nèi)存的極限頻率，還增強(qiáng)了系統(tǒng)的整體穩(wěn)定性，讓內(nèi)存能夠在更高頻率下保持穩(wěn)定的運(yùn)行狀態(tài)。
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