中新網上海4月17日電 (記者 陳靜)在一眨眼的時間內，超級閃存已經工作了10億次，而原來的U盤只能1000次。相當于光在走了12厘米的時間內，幾千個電子已經儲存完畢。
記者17日獲悉，復旦大學周鵬/劉春森團隊成功研制“破曉(PoX)”皮秒閃存器件，擦寫速度達到亞1納秒(400皮秒)，是人類目前掌握的最快半導體電荷存儲器件。
北京時間4月16日深夜，相關研究成果發表于國際頂尖期刊《自然》(Nature)。
從遠古時代的結繩記事開始，人類對信息存儲速度的追求從未止步。隨著科技不斷演進，電荷被證明是最佳存儲媒介，能夠以驚人的速度和卓越的可靠性承載海量數據。隨著人工智能(AI)時代的到來，計算范式正從傳統的邏輯運算逐漸轉向數據驅動的計算模式。信息存取速度直接決定了算力上限，亟需存儲技術的突破來實現變革。
據介紹，目前速度最快的存儲器均為易失性存儲器，斷電后數據丟失的特性限制了其在低功耗場景下的應用，難以滿足AI計算對數據極高速存取的需求。
復旦大學周鵬/劉春森團隊構建了準二維高斯模型，成功從理論上預測了超注入現象，并據此研制“破曉(PoX)”皮秒閃存器件，其性能超越同技術節點下世界最快的易失性存儲SRAM技術；通過AI算法對工藝測試條件實現科學優化，極大推動技術創新與落地。
據悉，中國專家團隊研發的突破性高速非易失閃存技術，不僅有望改變全球存儲技術格局，進而推動產業升級并催生全新應用場景，還為中國在相關領域實現技術引領提供強有力支撐。(完)【編輯:張子怡】
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